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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
-
- 技术：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 已选条件：
35,899 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 600M... |
1 | 1,177,909 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 500M... |
1 | 155,619 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 988,375 | 加入询价 | |
|
|
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 60V 3A ... |
1 | 164,221 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 1,342,373 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 454,854 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET P-CH 30V 1A ... |
1 | 76,711 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170... |
1 | 697,236 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.47... |
1 | 253,738 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | SOT-523, MOSFET |
1 | 299,003 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915M... |
1 | 531,745 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 800,595 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 95,805 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 25,319 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 680M... |
1 | 145,959 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 100M... |
1 | 110,365 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 837,018 | 加入询价 |
