- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
210 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P-40V,-35A,RD(MAX)<20M... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<52M@-10V... |
1 | 7,604 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P100V,RD(MAX)<200M@-10... |
1 | 4,625 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V, -20A,RD<45M@-10V... |
1 | 2,521 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-2.2A,RD(MAX)<3... |
1 | 3,998 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<17M@10V,... |
1 | 3,812 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 5,279 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<10M@-10V... |
1 | 5,985 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N190V, 3A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,439 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 10,694 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<14M@-10V... |
1 | 4,978 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-CH, -100V, 20A, RD(M... |
1 | 3,579 | 加入询价 |
