- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
210 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N20V, 6A,RD<27M@4.5V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V... |
1 | 8,339 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V... |
1 | 13,085 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V... |
1 | 8,860 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<100M@10V... |
1 | 8,988 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V... |
1 | 11,959 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 8,379 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<190M@-10V... |
1 | 6,940 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 3A,RD<140M@10V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<85M@-10V... |
1 | 13,070 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-16V,-5.8A,RD(MAX)<45... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,-8A,RD(MAX)<25M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-4.5A,RD(MAX)<11... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<120M@-10V... |
1 | 17,712 | 加入询价 |
