- 安装类型:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
57 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 11... |
1 | 6,355 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 9A... |
1 | 1,765 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 4A... |
1 | 2,484 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 135 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-263-7 G3R S... |
1 | 1,721 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A ... |
1 | 81 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 71... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 3300V 50M TO-247-4 SIC ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 25A |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 25A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 600V 100A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 8A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 4A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 16A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 |