- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- ON Semiconductor (1)
- Panasonic (1)
- EPC (6)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET NCH 15V 3.4A... |
1 | 3,116 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 200V DIE... |
1 | 51,931 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 200V 5A... |
1 | 27,140 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 15V 3.4A... |
1 | 46,740 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A ... |
1 | 1,447 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 40V 83A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V SC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 30V 8-T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 30V 8-T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 30V 8-T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 30V 8-T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Panasonic | MOSFET N-CH 30V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 200V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 300V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
