- 品牌：
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- EPC Space (2)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC Space | GAN FET HEMT200V18A... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 18... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC Space | 200V 18A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
