- 品牌：
-
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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
763 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC | TRANS GAN 100V .010O... |
1 | 2,870 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 14A/51A... |
1 | 449 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 170V DIE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | - |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 80V .0033O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 18... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET P-CH -100V -2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 |
