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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
封装/外壳:
TO-247-3
(1)
TO-247-4
(2)
供应商器件封装:
TO-247-3
(1)
TO-247-4
(2)
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
750 V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
53A(Tc)
(1)
81A(Tc)
(2)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
(2)
12V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
23 毫欧 @ 20A,12V
(2)
29 毫欧 @ 40A,12V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1422 pF @ 100 V
(2)
1430 pF @ 800 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
UnitedSiC
功率耗散(最大值) : 385W(Tc)
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UJ4C075018K3S
UnitedSiC
SICFET N-CH 750V 81A...
1
8,659
加入询价
UJ4C075018K4S
UnitedSiC
SICFET N-CH 750V 81A...
1
1,503
加入询价
UF4SC120023K4S
UnitedSiC
1200V/23MOHM SIC STA...
1
2,000
加入询价
UJ4C075018K3S
UnitedSiC
-
库存 : 8,659
询价
UJ4C075018K4S
UnitedSiC
-
库存 : 1,503
询价
UF4SC120023K4S
UnitedSiC
-
库存 : 2,000
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