供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G250N03IE Goford Semiconductor
N30V,ESD 5.3A,RD<25M@...
1 3,000 加入询价
G3035 Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<59M@-10V...
1 12,405 加入询价
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