漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NTHL160N120SC1 ON Semiconductor
SICFET N-CH 1200V 17...
1 299 加入询价
TP65H050WS Transphorm
GANFET N-CH 650V 34A...
1 198 加入询价
TP65H050G4WS Transphorm
650 V 34 A GAN FET
1 70 加入询价
TP90H050WS Transphorm
GANFET N-CH 900V 34A...
1 2,000 加入询价
NVHL160N120SC1 ON Semiconductor
SICFET N-CH 1200V 17...
1 2,000 加入询价
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