供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFR825TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6A...
1 4,041 加入询价
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A...
1 2,000 加入询价
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A...
1 2,000 加入询价
IRFR825PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6A...
1 2,000 加入询价
IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A...
1 2,000 加入询价
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