- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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35 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 20,037 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 4,636 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 234 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 831 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH TO220A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
