单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	PSMN059-150Y,115	Nexperia	MOSFET N-CH 150V 43A...	1	1	加入询价
	PSMN102-200Y,115	Nexperia	MOSFET N-CH 200V 21....	1	2,000	加入询价

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