FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
1 204,119 加入询价
G06P01E Goford Semiconductor
P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V...
1 8,860 加入询价
G7K2N20HE Goford Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD<0.7@1...
1 2,500 加入询价
IRLM210ATF ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 770...
1 2,000 加入询价
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