- 品牌：
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- Diodes Incorporated (33)
- ON Semiconductor (26)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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71 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 95,805 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 411,209 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 29,510 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 500M... |
1 | 5,995 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.5A... |
1 | 8,033 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.5A... |
1 | 7,908 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
1 | 22,552 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.1... |
1 | 14,015 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.5A... |
1 | 3,620 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | COMMON-DRAIN NCH... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
1 | 6,250 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 1,430 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 13,425 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
1 | 1,857 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.9A... |
1 | 1,411 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 100V 4.5MOHM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V~2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
