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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
30 V
(1)
60 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
10A(Ta),45A(Tc)
(1)
5.5A(Ta),25A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
12 毫欧 @ 10A,10V
(1)
34 毫欧 @ 15A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
20 nC @ 10 V
(1)
7.1 nC @ 4.5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1173 pF @ 25 V
(1)
660 pF @ 25 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 2W(Ta),40W(Tc)
供应商器件封装 : DFN5060-8
FET 类型 : N 通道
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJQ5412_R2_00001
PANJIT
30V N-CHANNEL ENHA...
1
2,994
加入询价
PJQ5468A_R2_00001
PANJIT
60V N-CHANNEL ENHA...
1
2,946
加入询价
PJQ5412_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,994
询价
PJQ5468A_R2_00001
PANJIT
-
库存 : 2,946
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