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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
25 V
(1)
30 V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
66A(Tc)
(2)
70A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
5.69 毫欧 @ 15A,10V
(1)
6 毫欧 @ 15A,10V
(2)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
12.4 nC @ 10 V
(1)
13.6 nC @ 10 V
(1)
13.7 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
817 pF @ 15 V
(1)
832 pF @ 15 V
(1)
858 pF @ 12 V
(1)
FET 功能:
-
(2)
肖特基二极管(体)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 47W(Tc)
安装类型 : 表面贴装型
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 1mA
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMN5R4-25YLDX
Nexperia
MOSFET N-CH 25V 70A...
1
96
加入询价
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 66A...
1
2,000
加入询价
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 66A...
1
2,000
加入询价
PSMN5R4-25YLDX
Nexperia
-
库存 : 96
询价
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN6R1-30YLDX
Nexperia
-
库存 : 2,000
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