供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PSMN017-30BL,118 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 32A...
1 3,950 加入询价
IRL3714S Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IRL3714STRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IRL3714STRR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IRL3714SPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IRL3714STRRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IRL3714STRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A...
1 2,000 加入询价
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
1 2,000 加入询价
IPB093N04LGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A...
1 2,000 加入询价
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