- 品牌:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 2,445 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 40V 15A... |
1 | 1,415 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,463 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 1,964 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |