- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 6,957 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 9,633 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 79A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 75A... |
1 | 498 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V( PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
