- 品牌：
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- Diodes Incorporated (15)
- ON Semiconductor (4)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150M... |
1 | 46,127 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 270M... |
1 | 9,146 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 270M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.15... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 270M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 320M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 320M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 270M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 20V 3A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150U... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
