封装/外壳:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RF4E060AJTCR ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A ...
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RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor
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