供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD22202W15 Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 10A ...
1 53,208 加入询价
SI6465DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A...
1 2,000 加入询价
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A...
1 2,000 加入询价
SI6469DQ-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TS...
1 2,000 加入询价
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TS...
1 2,000 加入询价
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