- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 51,107 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 44,856 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 11,874 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 18,217 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
