- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- PANJIT (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PANJIT | TO-220AB, MOSFET |
1 | 1,424 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.4... |
1 | 428 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.4... |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-40V,-60A,RD(MAX)<7M... |
1 | 88 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 94A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
