供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
VP2110K1-G Microchip Technology
MOSFET P-CH 100V 120...
1 8,475 加入询价
BSS123TA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
ZXM41N10FTA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123ATA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123ATC Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123TC Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
ZXM41N10FTC Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
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