供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI2333DS-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A...
1 37,698 加入询价
TSM2312CX RFG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
1 191,029 加入询价
SI2323DS-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
SI2323DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
SI2333DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A...
1 2,000 加入询价
SI2323DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S...
1 2,000 加入询价
SI2333DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S...
1 2,000 加入询价
SI2323DS-T1 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
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