- 品牌：
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- Diodes Incorporated (20)
- ON Semiconductor (11)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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58 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
1 | 163,501 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
1 | 91,653 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.5A... |
1 | 200,072 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 3.6A... |
1 | 72,380 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.2A... |
1 | 44,417 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 15,626 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.8A... |
1 | 29,903 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,329 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 1.8A... |
1 | 39,545 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4MI... |
1 | 5,948 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
1 | 3,600 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
1 | 8,650 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
1 | 397 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
1 | 4,369 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
1 | 1,464 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.5A... |
1 | 12,673 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A... |
1 | 28 | 加入询价 |
