封装/外壳:
供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 320M...
1 119,945 加入询价
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 400M...
1 12,626 加入询价
DMN62D1LFD-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 400M...
1 2,000 加入询价
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