- 品牌：
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- Texas Instruments (10)
- Diodes Incorporated (10)
- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (28)
- PANJIT (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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90 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 83,039 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.7A... |
1 | 569 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 9,149 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 400M... |
1 | 10,048 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 400M... |
1 | 22,348 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
1 | 5,495 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 12,110 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 57,530 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 700M... |
1 | 3,948 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 3.6A... |
1 | 72,380 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.2A... |
1 | 44,417 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 15,626 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
1 | 10,982 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 14,590 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A... |
1 | 90,604 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 8,628 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4MI... |
1 | 5,948 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
1 | 3,600 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 6,210 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 4.4A... |
1 | 3,000 | 加入询价 |
