- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8... |
1 | 12,289 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,522 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
