供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRLD120PBF Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3...
1 8,783 加入询价
IRLML6402 UMW
20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,...
1 3,823 加入询价
IRLML6402TRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
IRLD120 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3...
1 2,000 加入询价
IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A...
1 2,000 加入询价
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