- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A ... |
1 | 16,976 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 7,565 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
1 | 25 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 45V 700M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
