- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (30)
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (22)
- Panasonic (5)
- ROHM Semiconductor (17)
- YANGJIE (1)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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155 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 329,003 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8... |
1 | 64,291 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A... |
1 | 90,684 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6... |
1 | 77,211 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 28,617 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 3A ... |
1 | 8,919 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 30V 6A ... |
1 | 98,173 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 30V 6A ... |
1 | 99,874 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A ... |
1 | 16,976 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 260... |
1 | 12,705 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A... |
1 | 4,980 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4... |
1 | 31,880 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 8,707 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.7A... |
1 | 8,282 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.5A... |
1 | 5,776 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 7,565 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 2.5A... |
1 | 936 | 加入询价 | |
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|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 250M... |
1 | 7,650 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 230M... |
1 | 4,502 | 加入询价 |
