- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (36)
- Intersil(瑞萨电子公司) (1)
- ON Semiconductor (24)
- Panasonic (5)
- ROHM Semiconductor (17)
- Vishay / Siliconix (28)
- YANGJIE (1)
- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
199 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 38V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET NCH 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET NCH 1... |
1 | 34 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 190... |
1 | 7,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 90M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 2.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A... |
1 | 25 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 137... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 150V 420... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 150V 420... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 175... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 630... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 350... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET P-CH 200V 175... |
1 | 1 | 加入询价 |