- 品牌：
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- YANGJIE (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.1A... |
1 | 45,400 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A... |
1 | 14,283 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V... |
1 | 8,339 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
1 | 393 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 20V 4.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 7.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 |
