供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
STD100N10F7 STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A...
1 8,785 加入询价
STP80N6F6 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 110A...
1 642 加入询价
STD105N10F7AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A...
1 2,000 加入询价
STD80N6F6 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A...
1 2,000 加入询价
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