漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPP320N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A...
1 4,354 加入询价
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A...
1 1,893 加入询价
FCP850N80Z ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 800 加入询价
IPI320N20N3GAKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A...
1 2,000 加入询价
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A...
1 2,000 加入询价
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