- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
75 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A... |
1 | 7,029 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
1 | 2,190 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 14,633 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 4,354 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
1 | 3,220 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A... |
1 | 6,080 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A... |
1 | 1,893 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 120A... |
1 | 274 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 1,979 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) PG-... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 1,684 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A... |
1 | 2,450 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 3,995 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A... |
1 | 187 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
