供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIHP4N80E-BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 600V
1 2,000 加入询价
SIHP4N80E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.3...
1 2,000 加入询价
IRL3202PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A...
1 2,000 加入询价
IRL630A ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A...
1 2,000 加入询价
PHP21N06T,127 NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 55V 21A...
1 2,000 加入询价
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