- 品牌：
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- Microsemi (5)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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48 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A... |
1 | 14,853 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 11,605 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 7,819 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180... |
1 | 1,550 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A... |
1 | 4,363 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 23A... |
1 | 182 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 1,367 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A... |
1 | 554 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 400 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 35A, TO-220AB, HI... |
1 | 176 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180... |
1 | 187 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 300V 48A... |
1 | 84 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190... |
1 | 47 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 200V 67A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1700 V 45... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1700V 35 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V 126... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
