- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 281,133 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 48,132 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 53,221 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A... |
1 | 41,297 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 25V 60A... |
1 | 1,399 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-25A,RD(MAX)<70M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<110M@10V... |
1 | 2,473 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC60N04S6L039ATMA... |
1 | 167 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 6.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
