- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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30 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83... |
1 | 9,900 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 3,471 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 2,981 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 8,465 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-25A,RD(MAX)<70M... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 12A... |
1 | 874 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 41A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_)40V 60V) PG-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_)40V 60V) PG-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
