- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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27 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 204,918 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 30A... |
1 | 35,938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.6... |
1 | 26,817 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,693 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,ESD,-12A,RD(MA... |
1 | 2,305 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
