- 品牌:
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- ON Semiconductor (1)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 72 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 12A... |
1 | 50 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 30-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 525V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |