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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
55 V
(1)
75 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
48.2A(Tc)
(1)
61.8A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
11 毫欧 @ 20A,10V
(1)
18 毫欧 @ 20A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
30 nC @ 5 V
(1)
32 nC @ 5 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
2880 pF @ 25 V
(1)
3096 pF @ 25 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 106W(Tc)
封装/外壳 : SC-100,SOT-669
Vgs(最大值) : ±15V
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BUK9Y19-75B,115
Nexperia
MOSFET N-CH 75V 48.2...
1
2,000
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BUK9Y12-55B,115
Nexperia
MOSFET N-CH 55V 61.8...
1
2,000
加入询价
BUK9Y19-75B,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
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BUK9Y12-55B,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
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