- 品牌：
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- STMicroelectronics (31)
- UnitedSiC (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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51 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | SICFET P-CH 1200V 28... |
1 | 5,685 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 9,814 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A... |
1 | 8,972 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,820 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 550 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 16A... |
1 | 970 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 456 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 23A... |
1 | 427 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 61A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 73A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
