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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
技术:
MOSFET(金属氧化物)
(1)
SiCFET(碳化硅)
(1)
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
700 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
32A(Tc)
(1)
49A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
100 毫欧 @ 20A,20V
(1)
70 毫欧 @ 32.5A,20V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 1mA
(1)
3V @ 1mA(标准)
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
125 nC @ 20 V
(1)
130 nC @ 20 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
(1)
2560 pF @ 1000 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 165W(Tc)
封装/外壳 : SOT-227-4,miniBLOC
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT40SM120J
Microsemi
MOSFET N-CH 1200V 32...
1
2,000
加入询价
APT70SM70J
Microsemi
SICFET N-CH 700V 49A...
1
2,000
加入询价
APT40SM120J
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT70SM70J
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
*
型号:
品牌:
封装:
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