- 品牌：
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- PANJIT (1)
- Vishay / Siliconix (19)
- Wolfspeed (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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49 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A... |
1 | 27,136 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 8,663 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 30V 70A... |
1 | 29,279 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 5.4... |
1 | 2,142 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 7,200 | 加入询价 | |
|
|
Wolfspeed | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 8,678 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 1,045 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 3,356 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 20,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 60A... |
1 | 5,246 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,488 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 7A TO-252, LOW-NO... |
1 | 2,487 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 165 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 400V 4.2... |
1 | 569 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 998 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 |
