供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G400P06T Goford Semiconductor
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M...
1 45 加入询价
18N20F Goford Semiconductor
N200V, 18A,RD<0.19@10V,V...
1 87 加入询价
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